安徽鼎迈计量检测服务有限公司竭诚为您服务!

安徽大学合作实验室

标准型离子束刻蚀机(IBE)

文字:[大][中][小] 手机页面二维码 2019/10/22     浏览次数:    

本产品采用口径φ150mm考夫曼型离子源,通过独特结构的双钼栅离子光学系统及SHAG技术保证在φ100mm范围内束流的均匀性为±5%,电子中和系统可使样片上的电荷积累为零。

本设备的刻蚀工作台可绕工作中心自转,离子束入射角可在0~90°之间任意调整。

本设备具有刻蚀速率稳定、均匀性好、重复性好等特点,可广泛应用于微电子、光电子、通讯等领域的器件研发和制造。


产品主要性能指标


型号

IBE-150B

真空系统

分子泵机组

刻蚀室数量

单刻蚀室

刻蚀室规格

ø430×350×430mm

工作台尺寸

ø150mm(最大片径≤4英寸)

离子束入射角

0~90°之间任意调整

刻蚀速率

100Å~2000Å/min(与刻蚀材料和工艺有关)

刻蚀不均匀性

≤±5%

Ar+离子能量范围

100~1000eV,连续可调

离子束流密度

0~1mA/cm2,连续可调

有效离子束直径

≥ø100mm(屏栅极直径ø150mm)

电子中和

带有热丝结构的电子中和装置

 

返回上一步
打印此页
0551-63500264
浏览手机站